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黒田 真司*; Marcet, S.*; Bellet-Amalric, E.*; Cibert, J.*; Mariette, H.*; 山本 春也; 酒井 卓郎; 大島 武; 伊藤 久義
Physica Status Solidi (A), 203(7), p.1724 - 1728, 2006/05
被引用回数：6 パーセンタイル：31.16(Materials Science, Multidisciplinary)窒化ガリウム(GaN)へMnをドープすることで希薄磁性半導体が形成できると期待されているが、結晶中のMnの占有位置により磁性が変化するため、結晶中のMn位置と磁性の関係を明らかにする必要がある。本研究では、分子線エピタキシー(MBE)で作製した(Ga,Mn)Nエピ膜及びAlN基板上に形成した(Ga,Mn)Nドット中のMnサイトに関する知見を得るためにラザフォード後方散乱(RBS)と粒子誘起X線放出(PIXE)測定を行った。その結果、RBSチャネリングに対応してPIXEにより求めたGa及びMn濃度が減少することを見いだした。このことより、ほぼ全てのMn原子がGaサイトに置換していることが明らかとなった。また、ドット中に含まれるMn濃度のPIXE分析の結果、同一条件でエピ成長をした厚膜よりMn濃度が二
三倍高濃度であることが明らかとなり、ドット形成により多量のMnが結晶中に導入できるとの結論が得られた。
Mn
NHwang, J. I.*; 石田 行章*; 小林 正起*; 平田 玄*; 田久保 耕*; 溝川 貴司*; 藤森 淳; 岡本 淳; 間宮 一敏*; 斎藤 祐児; et al.
Physical Review B, 72(8), p.085216_1 - 085216_6, 2005/08
被引用回数：65 パーセンタイル：88.06(Materials Science, Multidisciplinary)常磁性GaMnNの電子構造について光電子分光(PES),X線吸収分光(XAS)によって調べた。XAS実験スペクトルを理論計算と比較することによって、GaN中Mnは正四面体配位結晶場中の2価で説明できることがわかった。この結果に従い、Mn2p及びMn3d光電子スペクトルを配置間相互作用クラスターモデルで解析した。これにより見積もられた電子構造パラメータから計算したp-d交換相互作用定数の大きさはGaMnAsの1.6倍であることが判明した。また、内殻PESからはMn濃度の上昇に伴ってフェルミレベルが降下する様子とバンドギャップ中に新たな状態が生成され増大する様子が観測された。以上のことから、GaMnNにおいて十分な正孔濃度を実現することで高い転移点を持つ強磁性が発現する可能性が実験的に示された。
MnAs上田 茂典*; 今田 真*; 室 隆桂之*; 斎藤 祐児; 菅 滋正*; 松倉 文礼*; 大野 英男*
Physica E, 10(1-3), p.210 - 214, 2001/05
被引用回数：24 パーセンタイル：73.91(Nanoscience & Nanotechnology)希薄磁性半導体GaMnAs(x=0.025)のMn 2p内殻光吸収における磁気円2色性の測定をファラデー配置にて行った。得られたスペクトルを配置間相互作用を考慮したクラスターモデルを用いて解析し、3d電子間のクーロン相互作用,電荷移動エネルギー,Mn 3dとAs 4p間の移動積分,結晶場の大きさといったMn電子状態に関するパラメータの値を得た。また、得られたパラメータ値を用いp-d交換定数を評価した。
Mn
Te小野 泰弘*; 社本 真一*; 佐藤 圭*; 神谷 毅*; 佐藤 敏雄*; 岡 泰夫*; 山口 康男*; 大山 研治*; 森井 幸生; 梶谷 剛*
Journal of Physics and Chemistry of Solids, 60(8-9), p.1253 - 1255, 1999/00
被引用回数：2 パーセンタイル：17.06(Chemistry, Multidisciplinary)半磁性半導体ZnMnTeを中性子回折法と冷中性子散乱法により100K以下で調べた。磁気散漫散乱強度分布の測定から2種類の反強磁性短距離秩序が共存することが判明した。タイプI反強磁性短距離秩序成分は、5テスラの磁場下ではスピングラス転移温度Tg=17K以下で減少する。さらに、Tgで準弾性散乱強度が増大することや14K付近で非弾性散乱ピークが1.0MeVあたりに広く出現することを見いだした。
